以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法
授权
摘要
本发明是有关于一种以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法。实施例包括：形成多层堆叠排列结构，其中此多层堆叠排列结构包括位于基材上的添加物层，和位于添加物层上的金属层；以及对多层堆叠排列结构进行退火，藉以在基材上形成金属硅化物层，其中此金属硅化物层包含来自于添加物层的添加物。其他实施例至少包括蚀刻多层堆叠排列结构，以移除不反应层。在另一实施例中，多层堆叠排列结构包括位于基材上的金属层、位于金属层上的添加物层，以及可选择性地位于添加物层上的氧阻障层。根据上述实施例所形成的金属硅化物，在高温制程中特别能够抵抗结块现象。
基本信息
专利标题 ：
以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855388A
申请号 ：
CN200510124394.2
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴启明周士惟林正堂张志维眭晓林
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510124394.2
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205 H01L21/3213
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2009-10-21 ：
授权
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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