改善STI平坦度的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种改善STI平坦度的方法,提供衬底,衬底上形成有阱,还形成有STI用以定义出的有源区;在衬底上形成覆盖STI和有源区的光刻胶层,光刻使得有源区和部分STI裸露;对裸露的有源区和部分STI进行离子注入,用以形成轻掺杂漏;利用非激活离子对裸露的有源区和部分STI进行离子注入,其中STI被离子注入的深度为第一深度,未被离子注入的深度为第二深度,第一深度与第二深度的差值小于10埃。本发明改善了离子注入的STI区域与未进行离子注入的STI区域间高度的差异,便于去除伪栅,避免金属栅成型后的性能受到影响。
基本信息
专利标题 :
改善STI平坦度的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496779A
申请号 :
CN202210097309.1
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
靳丹丹沈耀庭周春
申请人 :
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 :
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 :
刘昌荣
优先权 :
CN202210097309.1
主分类号 :
H01L21/3115
IPC分类号 :
H01L21/3115 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/3115
绝缘层的掺杂
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3115
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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