半导体结构及电子设备
授权
摘要
本实用新型实施例涉及一种半导体结构及电子设备，半导体结构包括：基底以及位于所述基底上的至少两个分立的凸起部；阻隔层，所述阻隔层填充于相邻所述凸起部之间；其中，所述阻隔层包括间隙区域，在垂直于所述基底的方向上，所述间隙区域位于所述凸起部与所述基底之间；位于所述阻隔层内的凹槽，所述凹槽侧壁垂直于所述基底；或者，在远离所述基底的方向上，所述凹槽的宽度增大。本实用新型通过设置具有预设形状的凹槽，保证凹槽能够被均匀填充。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921839422.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-29
授权号 ：
CN210668278U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
杨健
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN201921839422.2
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/3115
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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