半导体封装结构及其制备方法、电子设备
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体封装结构及其制备方法、电子设备，该半导体封装结构包括：衬底、器件功能层、第一电极层和支撑层，支撑层位于器件功能层远离衬底的一侧且覆盖第一电极层；支撑层包括注塑结构和多个导电支撑结构。通过在第一电极层上制备支撑层，由于该支撑层包括注塑结构和置于注塑结构内部的导电支撑结构，利用导电支撑结构作为第一电极结构和第二电极结构的电连接通道，从而将电极结构引出，方便外部引线连接；同时导电支撑结构与注塑结构结合可极大增加晶圆的结构强度，从而为衬底减薄提供较好的机械支撑能力，可防止晶圆翘曲或者破损，而且衬底减薄后有利于提升半导体封装器件的散热性能，可增加产品的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构及其制备方法、电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530427A
申请号 ：
CN202210033389.4
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黎子兰沙长青刘庆波
申请人 ：
广东致能科技有限公司;徐州致能半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区开源大道136号A栋301、302室
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李旦华
优先权 ：
CN202210033389.4
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L21/48 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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