一种半导体封装结构及其制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种半导体封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。半导体封装结构包括电连接件，该电连接件包括依次连接的端子部、连接部和焊接部，焊接部为长方形结构且包括一凹陷，凹陷为方形结构，且焊接部远离连接部的一边具有折弯的裙边，裙边与所述凹陷的第一侧壁构成一凹槽，第一侧壁为贯通结构，贯通结构连通凹陷和凹槽；凹槽内具有第一焊料，电连接件通过第一焊料电连接于半导体芯片。凹槽的裙边可以阻挡焊料向外侧溢出，实现焊料的隔断，保证电连接的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体封装结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628347A
申请号 ：
CN202210525536.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈国栋
申请人 ：
山东中清智能科技股份有限公司
申请人地址 ：
山东省威海市经济技术开发区崮山皂埠路241号-10
代理机构 ：
苏州集律知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王晶
优先权 ：
CN202210525536.X
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/495 H01L23/31 H01L21/56 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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