半导体结构及电子设备
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种半导体结构及电子设备。该半导体结构包括：衬底层；界面氧化物层，位于所述衬底层上；第一金属栅层，位于所述界面氧化物层上；第二金属栅层，位于所述第一金属栅层上；其中，所述第一金属栅层为具有掺杂剂粒子的金属栅层。本申请实施例提供的半导体结构，采用金属栅极叠层结构，整个半导体结构的工艺变化少；采用金属栅极材料电阻稳定无变化；晶体管特性的调整自由度大大增加。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361249A
申请号 ：
CN202011089805.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑磬镐项金娟李亭亭王晓磊
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011089805.X
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/49
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20201013
申请日 : 20201013
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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