一种碳掺杂绝缘层的制备方法、HEMT器件及其制备方法
公开
摘要
本发明的目的是提供一种碳掺杂绝缘层的制备方法、HEMT器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明的碳掺杂绝缘层的制备方法简洁高效，实用。等离子增强的碳离子注入增加了C的活性和均匀性。由于C进入到氮化镓的能级，从而导致形成了一层高阻区域，能够有效阻断器件的漏电，使得制备出来的碳掺杂绝缘层的漏电流大幅度下降，极大的提升了器件性能。本发明的HEMT器件具备高电阻率、高电子迁移率，低漏电流。比传统器件具有良好的电流密度和低泄漏电流，更高的器件击穿电压，具有良好导热性使器件能在较高温条件下工作。而且通过自支撑衬底材料，解决了现有的外延层晶格失配大，缺陷密度大的问题，改善了界面性能，进一步的提升了HEMT器件的性能，良品率。
基本信息
专利标题 ：
一种碳掺杂绝缘层的制备方法、HEMT器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497185A
申请号 ：
CN202111638718.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘新科林峰李博黄双武宋利军黎晓华
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南海大道3688号
代理机构 ：
深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵胜宝
优先权 ：
CN202111638718.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778 H01L21/02 H01L21/3115 H01L21/335
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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