具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件及其制备方法
公开
摘要
本发明提供的一种具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件及其制备方法，制备出的具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件包括p+外延层1、P‑基区2、N+衬底3、钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明P‑基区2使用纵向变掺杂基区，可以降低P‑/N+结处P‑基区的掺杂浓度，提高基区电场纵向均匀性，提高器件雪崩开启速度。同时提高P+/P‑结处P‑基区的掺杂浓度，降低器件负角处的浓度梯度，抑制表面电场，提高器件的工作可靠性。
基本信息
专利标题 ：
具有P型变掺杂基区的碳化硅功率DAS器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582953A
申请号 ：
CN202210108876.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
袁昊周瑜宋庆文汤晓燕张玉明
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210108876.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861 H01L21/329
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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