采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺，属于微电子技术领域，由金属底层、N+衬底层(在IGBT功率器件中为P+衬底层)、N－外延层、P－区、P+区、N+区、热氧化SiO₂栅氧层、多晶硅栅层、源栅隔离层和金属表层组成。由磷硅玻璃PSG层以单层的形式充任源栅隔离层，取代现有技术中由SiO₂层和PSG层组合的结构形式，且磷硅玻璃PSG层作为生成N+区时的掺杂源，利用其中的磷向硅中的扩散形成N+区，从而有效减少了生产过程中光刻等处理的工序，既有利于降低生产成本、又有利于大幅度提高VDMOS、IGBT功率器件的工作可靠性，具有极强的实用性和经济性。

基本信息

专利标题：

采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720067355.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-02-14

授权号：

CN201017889Y

授权日：

2008-02-06

发明人：

邵光平

申请人：

上海富华微电子有限公司

申请人地址：

200122上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座

代理机构：

上海京沪专利代理事务所

代理人：

沈美英

优先权：

CN200720067355.8

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/739

法律状态

2017-03-29 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101709172722
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2007200673558
申请日 : 20070214
授权公告日 : 20080206
终止日期 : 无

2010-12-22 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101054597915
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2007200673558
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海富华微电子有限公司
变更后权利人 : 吉林华微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200122 上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座
变更后权利人 : 132013 吉林省吉林市高新区深圳街99号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 吉林华微电子股份有限公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20101110

2008-04-02 ：

实用新型专利说明书更正

号 : 06
卷 : 24
页码 : 扉页
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 吉林华微电子股份有限公司

2008-04-02 ：

实用新型专利公报更正

号 : 06
卷 : 24
页码 : 无
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 吉林华微电子股份有限公司

2008-02-06 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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