一种碳化硅功率半导体器件及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种碳化硅功率半导体器件及其制备方法，在保证现有技术中减小源极欧姆接触电阻，降低器件功率损耗的前提下，通过调整源区的布局和自对准注入方式，不采用刻蚀方式，保证了第一源区和第二源区显露出的表面平整，形成了良好的源极接触层，解决了各向异性刻蚀露出部分第一源区表面不平整导致源极接触层接触不良问题，同时也解决了在工艺特征尺寸越来越小的情况下出现过刻蚀到第一源区问题，减少了工艺带来的的误差，增加了器件可靠性性能。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅功率半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335152A
申请号 ：
CN202210196047.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
CN114335152B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
程晨王彬徐凯吴李瑞
申请人 ：
江苏游隼微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区麒麟科技创新园启迪大街188号二楼启迪之星南京众创空间G41
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴旭
优先权 ：
CN202210196047.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/266
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220302
申请日 : 20220302
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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