低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法，提供碳化硅晶片、制备于所述碳化硅晶片正面上的氧化膜以及制备于所述氧化膜上的正面元胞结构；在碳化硅晶片上氧化膜，包括如下步骤：步骤1、采用热氧化工艺在碳化硅晶片上制备得到氧化底膜，并对所述碳化硅晶片以及氧化底膜进行所需的氧化后退火工艺；步骤2、在上述氧化底膜上制备所需的硅膜层，所述硅膜层覆盖在氧化底膜上；步骤3、对硅膜层进行热氧化，并热氧化退火后，制备得到覆盖于碳化硅晶片上的氧化膜。本发明能实现低密度界面态的碳化硅半导体器件制备，与现有工艺兼容，安全可靠。
基本信息
专利标题 ：
低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582712A
申请号 ：
CN202210207129.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
袁述黎力苗青陈蕾
申请人 ：
江苏中科汉韵半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市徐州经济技术开发区创业路26号A-2厂房1F-2F
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
韩凤
优先权 ：
CN202210207129.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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