碳化硅半导体器件

授权

摘要

本实用新型提供一种碳化硅半导体器件，器件包括：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上，位于隔离介质层上的源极金属层具有贯穿源极金属层的通孔阵列，以减少源极金属层与栅极层的重叠面积。本实用新型在所述源极金属层中形成贯穿所述源极金属层的通孔阵列，以减少所述源极金属层与所述栅极层的重叠面积，从而降低源极金属层与栅极层之间的输入电容的面积，降低输入电容，提高器件的开关速及降低导通损耗。

基本信息

专利标题：

碳化硅半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922311925.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-20

授权号：

CN210837768U

授权日：

2020-06-23

发明人：

田意徐大伟

申请人：

上海新微技术研发中心有限公司

申请人地址：

上海市嘉定区城北路235号1号楼

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

罗泳文

优先权：

CN201922311925.9

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/45 H01L29/417 H01L29/06 H01L21/336