碳化硅半导体器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
碳化硅半导体器件。一种半导体器件，包括：绝缘膜；第一半导体层，其具有第一导电型4H－SiC的第一主要成分；以及第二半导体层，其具有第二导电型4H－SiC的第二主要成分。所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的pn结。该pn结具有结边缘。所述第一半导体层和第二半导体层进一步包含局部区域，所述局部区域包含所述结边缘。所述局部区域具有与所述钝化膜相接的第一主平面。所述第一主平面的法线从第一轴[0001]或者[000－1]向第二轴<01－10>倾斜在25度到45度范围内的第一倾角。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838428A
申请号 ：
CN200610065386.X
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
前山雄介西川恒一福田祐介清水正章佐藤雅岩黑弘明野中贤一
申请人 ：
新电元工业株式会社;本田技研工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄纶伟
优先权 ：
CN200610065386.X
主分类号 ：
H01L29/00
IPC分类号 ：
H01L29/00
法律状态
2008-12-31 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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