一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法，包括以下步骤：S1：在N‑外延层刻蚀对准标记；S2：使用光刻和Al离子注入形成浅沟道区；所述步骤S2中在使用光刻和Al离子注入形成浅沟道区时，整个有源区均有注入。本发明通过Al离子注入的时候，对浅沟道区内的整个有源区进行操作，使得功率器件的制备过程更加稳定，并且制备功率器件的良品率也能够得到极大的提高。
基本信息
专利标题 ：
一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361015A
申请号 ：
CN202210261908.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王中健王鹏
申请人 ：
成都功成半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区蜀锦路88号1栋2单元48层1号、2号
代理机构 ：
成都四合天行知识产权代理有限公司
代理人 ：
董斌
优先权 ：
CN202210261908.2
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/04 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/265
申请日 : 20220317
申请日 : 20220317
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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