本实用新型涉及碳化硅器件领域，且公开了一种碳化硅功率器件高温注入工艺的硬掩膜结构，包括刻蚀衬底，所述刻蚀衬底的底端安装有基础支撑板，所述刻蚀衬底的顶端均匀设置有第一硬掩膜层，所述刻蚀衬底的顶端均匀设置有第二硬掩膜层，所述第一硬掩膜层与第二硬掩膜层交错分布，所述第一硬掩膜层的左右两侧固定连接有隔热胶层，所述第二硬掩膜层的顶端设置有光刻胶层，所述第一硬掩膜层的顶端设置有加工窗槽。该装置在不断清除光刻胶层过程中，通过隔热胶层对第二硬掩膜层进行防护，提供一定的隔热效果，防止加工过程中的高温，防止损伤第二硬掩膜层，使得掩蔽失效，进而防止产品直接报废，刻蚀出现偏差时，可为操作人员提供警示。