IGBT功率器件的封装工艺
授权
摘要
本发明属于电力电子技术领域，尤其涉及一种IGBT功率器件的封装工艺。具体地，该IGBT功率器件的封装工艺包括以下步骤：步骤S10：将多个焊接段焊接端正对于对应的各个焊接区域进行放置；步骤S20：将多个条状连接片的两端分别正对于第一焊接区域和第二焊接区域的相应位置进行放置；步骤S30：通过超声波焊接设备将全部焊接段焊接端与全部条状连接片的焊接端一次性地焊接固定在陶瓷覆铜板的相应位置上。应用本发明提供的IGBT功率器件的封装工艺解决了应用现有设计的封装工艺装配生产IGBT功率器件的生产效率低，无法满足批量生产需求的问题。
基本信息
专利标题 ：
IGBT功率器件的封装工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113270328A
申请号 ：
CN202110483268.5
公开（公告）日 ：
2021-08-17
申请日 ：
2021-04-30
授权号 ：
CN113270328B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
田永革刘杰
申请人 ：
深圳芯能半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
张全文
优先权 ：
CN202110483268.5
主分类号 ：
H01L21/52
IPC分类号 ：
H01L21/52 H01L23/043 H01L23/14 H01L23/488 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-09-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/52
申请日 : 20210430
申请日 : 20210430
2021-08-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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