本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制备方法。所述器件为纵向结构的碳化硅MOSFET，包括自下而上依次设置的漏极、N⁺型碳化硅衬底、N^‑型漂移层、N型JFET区和沟道区，其中N型JFET区和沟道区形成鳍型结构，两侧各有一个栅结构；在栅结构的底部设置有P型屏蔽区，或者所述P型屏蔽区包围栅结构的底部及远离鳍型结构的外侧；在沟道区上设置N⁺型表面区，其上为与N⁺型表面区、部分P型屏蔽区表面形成欧姆接触的源极；漏极与N⁺型碳化硅衬底下表面形成欧姆接触。本发明的碳化硅功率器件在制作良好接地的P型屏蔽区对栅介质层进行屏蔽的同时，引入不需要接地的低掺杂的耗尽沟道区，进一步提高了沟道迁移率和沟道密度，从而降低器件的导通电阻。