一种碳化硅功率器件结终端结构及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种碳化硅功率器件结终端结构及其制备方法，属于碳化硅功率器件的技术领域，该碳化硅功率器件结终端结构将隔离环的全部或者部分做成为变深度注入的倾斜坡面，倾斜坡面为从内向外逐渐变浅，该结构设计能够缓解以至于几乎消除了电力线聚集的问题，且结终端结构的占用的面积最小，同时，对应的制备方法中提出的利用两层具有不同湿法刻蚀速率的材料实现变厚度介质的方法，利用二者湿法刻蚀材料在湿法刻蚀速率的差别，形成角度可控的倾斜坡面，进而实现结终端结构的P型区进行变深度注入。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅功率器件结终端结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300530A
申请号 ：
CN202210221058.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李翔吴文杰何浩祥刘毅
申请人 ：
芯众享（成都）微电子有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区锦城大道666号3栋7层4号
代理机构 ：
成都鼎胜专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李想
优先权 ：
CN202210221058.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/04
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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