一种功率器件的体内阶梯终端结构及制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明涉及一种功率器件的体内阶梯终端结构及制备方法,终端结构包括第一电极、衬底区、外延区、阶梯状终端结构、氧化层和第二电极,第一电极、衬底区和外延区依次层叠;阶梯状终端结构埋设于外延区中且位于终端区中,其端部与有源区相接触,阶梯状终端结构包括相互连通的若干子区域,沿有源区至终端区方向,若干子区域的厚度逐渐减小以在阶梯状终端结构靠近衬底区的一侧形成若干台阶;氧化层位于外延区上且位于阶梯状终端结构的上方;第二电极位于外延区上且位于有源区中,第二电极与氧化层相邻。该终端结构中,阶梯状终端结构在空间上远离器件表面,不易受到表面钝化层内部电荷的影响,降低了器件界面电荷对终端结构耐压特性的影响。

基本信息
专利标题 :
一种功率器件的体内阶梯终端结构及制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114497180A
申请号 :
CN202111541927.2
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-12-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
罗寅谭在超丁国华
申请人 :
苏州锴威特半导体股份有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市张家港市杨舍镇沙洲湖科创园A1幢9层
代理机构 :
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王萌
优先权 :
CN202111541927.2
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06  H01L21/04  
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211216
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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