一种功率器件的体内单区终端结构及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种功率器件的体内单区终端结构及制备方法，该功率器件的体内单区终端结构，包括外延区和单区终端结构，其中，所述外延区的一部分位于有源区中，另一部分位于与所述有源区相邻的终端区中；所述单区终端结构埋设于所述外延区中且位于所述终端区中，所述单区终端结构靠近所述有源区的一端与所述有源区相接触。该终端结构中，将单区终端结构埋设于外延区中，使得终端结构在空间上远离器件表面，不易受到表面钝化层内部电荷的影响，降低了器件界面电荷对终端结构耐压特性的影响，使得功率器件具有更好的抗电荷特性和更好的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种功率器件的体内单区终端结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497183A
申请号 ：
CN202111541941.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田鸿昌袁昊宋庆文李阳善何晓宁
申请人 ：
陕西半导体先导技术中心有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202111541941.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L21/329 H01L29/861
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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