具有改进的结终端延伸区的半导体器件
公开
摘要
本发明涉及一种具有改进的结终端延伸区的半导体器件。本发明特别涉及具有这种改进的结终端扩展的二极管。根据本发明的半导体器件包括在第一方向上延伸的有源区、以及围绕有源区的第一电荷类型的结终端扩展(JTE)区，其中，JTE区包括多个场释放子区，每个场释放子区围绕有源区并在垂直于有源区的外周的方向上相互隔开。根据本发明，多个场释放子区包括第一组场释放子区，其中，对于第一组的每个场释放子区，在其中设置多个第二电荷类型的场释放元件，该场释放元件相对于有源区在外周方向上相互间隔开。
基本信息
专利标题 ：
具有改进的结终端延伸区的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284335A
申请号 ：
CN202111092215.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗曼·埃斯特韦蒂姆·波特
申请人 ：
安世有限公司
申请人地址 ：
荷兰奈梅亨
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
麦善勇
优先权 ：
CN202111092215.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872 H01L29/861
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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