具有改进性能的半导体器件及方法
授权
摘要
在一个实施方案中，半导体器件形成在半导体材料的主体内。半导体器件包括靠近一部分沟道区的局域掺杂区，当工作时，沟道区内存在电流。
基本信息
专利标题 ：
具有改进性能的半导体器件及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142687A
申请号 ：
CN200680008867.5
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加里·H·罗切尔特戴维·H·鲁茨罗伯特·B·戴维斯
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司;HVVI半导体公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
付建军
优先权 ：
CN200680008867.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/08 H01L21/336 H01L29/41 H01L21/265
法律状态
2010-09-22 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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