具有改进的短路耐受时间的半导体器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
半导体器件(10)包括衬底(12)、漂移层(14)、阱区(16)和源极区(18)。衬底(12)具有第一导电类型。漂移层(14)具有第一导电类型并且位于衬底(12)上。阱区(16)具有与第一导电类型相对的第二导电类型并且设置沟道区(28)。源极区(18)位于阱区(16)中并且具有第一导电类型。沿着与衬底(12)相对的漂移层(14)的表面的阱区(16)的掺杂浓度是可变的，使得阱区(16)包括在距源极区(18)和阱区(16)之间的结一定距离处的掺杂浓度增加的区域。
基本信息
专利标题 ：
具有改进的短路耐受时间的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556589A
申请号 ：
CN202080070820.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-10-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
世亨·柳
申请人 ：
沃孚半导体公司
申请人地址 ：
美国北卡罗来纳州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王红艳
优先权 ：
CN202080070820.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/16
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201002
申请日 : 20201002
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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