一种半导体器件的终端结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体器件的终端结构，包括半导体衬底层、沟槽和离子掺杂层；多个沟槽沿预设方向开设在所述半导体衬底层上表面，多个所述沟槽的尺寸沿所述预设方向逐渐增大；离子掺杂层通过离子注入在所述半导体衬底层形成，所述离子掺杂层包围所述沟槽。本实用新型在沟槽刻蚀阶段对沟槽结构进行改进，通过沟槽刻蚀尺寸来影响刻蚀深度情况，实现终端结构的变掺杂，无需对终端离子注入工艺进行调整，避免了离子断开，不能实现渐变，引起器件漏电的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件的终端结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921780363.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-21
授权号 ：
CN210866184U
授权日 ：
2020-06-26
发明人 ：
肖婷史波曾丹敖利波曹俊
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路
代理机构 ：
北京华夏泰和知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭金鑫
优先权 ：
CN201921780363.6
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/78 H01L29/06 H01L21/335 H01L21/336
法律状态
2020-06-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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