一种碳化硅功率器件终端结构
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅功率器件终端结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020123248.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-17
授权号 ：
CN210956680U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
陈道坤史波曾丹敖利波
申请人 ：
珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市香洲区吉大景山路莲山巷8号1001室
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘红彬
优先权 ：
CN202020123248.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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