一种N-MOS控制功率器件终端结构
授权
摘要
本实用新型公开一种N‑MOS控制功率器件终端结构，包括依次连接的漏极结构、耐压层结构以及源极结构，耐压层结构包括超结耐压层；漏极结构的上表面布置p型埋层，p型埋层接触超结耐压层的n型漂移区。本实用新型能够改善器件的反向恢复特性及电场分布。
基本信息
专利标题 ：
一种N-MOS控制功率器件终端结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220281718.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
CN216749908U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
余丽波
申请人 ：
成都智达和创信息科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市锦江区工业园区墨香路48号4栋1楼1号
代理机构 ：
成都熠邦鼎立专利代理有限公司
代理人 ：
车江华
优先权 ：
CN202220281718.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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