一种功率器件的终端结构和其制作方法、及一种功率器件
公开
摘要
本申请实施例提供一种功率器件的终端结构，包括衬底和设于衬底第一表面的多个场限环，衬底包括漂移层和掺杂层，掺杂层从衬底的第一表面向内扩散形成，掺杂层和漂移层为第一导电类型，且掺杂层的杂质浓度大于漂移层的杂质浓度，场限环为第二导电类型。采用本申请所提供的终端结构，通过掺杂层的设计，实现对场限环中杂质的横向扩散限制，一方面减小终端结构的设计尺寸，降低芯片成本；另一方面降低外部电荷对终端结构的影响，提升功率器件的可靠性。同时本申请还提供一种功率器件的终端结构的制作方法和一种功率器件。
基本信息
专利标题 ：
一种功率器件的终端结构和其制作方法、及一种功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586171A
申请号 ：
CN202080022689.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨文韬黄伯宁赵倩
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
熊永强
优先权 ：
CN202080022689.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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