本申请公开了一种终端结构、半导体器件及制作方法，终端结构包括第一导电类型的漂移区，漂移区设置有沟槽、第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的第一体区，沟槽包括第一深度区、第二深度区和第三深度区；第一深度区填充介电材料，介电材料中插入第一电极，第二深度区设置有第一多晶硅场板；第一多晶硅场板和第一电极连接第二电极，第三深度区设置有第二多晶硅场板，掺杂区和第二多晶硅场板上设置截止环。该终端结构，第一多晶硅场板防止第一体区与漂移区形成的PN结被提前击穿，第一电极防止第一深度区的底部角落处被提前击穿，第二多晶硅场板防止击穿发生在截止环。该结构在提升终端结构耐压的同时，使终端结构的面积减小。