一种半导体器件电极结构、制作方法及半导体器件
授权
摘要
本申请提供了一种半导体器件电极结构、制作方法及半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件电极结构包括源极、漏极以及栅极，源极、漏极以及栅极均设置于器件本体上，且源极与漏极分别设置于栅极的两侧；其中，源极、漏极以及栅极均平行设置；且源极、漏极以及栅极的中间位置均设置为弯曲或折线形。本申请提供的半导体器件电极结构、制作方法及半导体器件具有提升了散热性能的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件电极结构、制作方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114188407A
申请号 ：
CN202210143735.4
公开（公告）日 ：
2022-03-15
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
CN114188407B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
田宇
申请人 ：
深圳市时代速信科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区福保街道福保社区广兰道6号顺仓物流中心三层(深装总大厦A座3楼318-320)
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
戴尧罡
优先权 ：
CN202210143735.4
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L29/423 H01L29/778 H01L21/335 H01L21/28
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2022-04-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/417
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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