一种半导体器件及其电极的制作方法
公开
摘要
一种半导体器件及其电极的制作方法，属于半导体领域。在半导体器件中形成电极的方法包括：制作至少具有在不经刻蚀技术参与而形成栅凹槽的图形化的InAlN层；在栅凹槽中制作栅极，或者，穿过图形化的InAlN层制作与GaN接触的源极和/或漏极。其中的半导体器件具有基于InAlN/GaN异质结的外延结构。在上述工艺由于不需要刻蚀栅极区域势垒层InAlN，从而可以避免刻蚀工艺引入的损伤，进而提高了相应器件的性能和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件及其电极的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566430A
申请号 ：
CN202210193318.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋洋汪青于洪宇
申请人 ：
南方科技大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王丽莎
优先权 ：
CN202210193318.0
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/335 H01L29/423 H01L29/417 H01L29/06 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
