PIP电容结构及其制作方法、半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种PIP电容结构及其制作方法、半导体器件，PIP电容结构包括：衬底；形成在所述衬底上的隧穿氧化层；形成在所述隧穿氧化层上的浮栅层；形成在所述浮栅层上的介质层；形成在所述介质层上的控制栅层，所述介质层及所述控制栅层上具有至少一开窗，部分所述浮栅层从所述开窗内裸露出来；及至少一个高度调整结构；所述高度调整结构贯穿所述浮栅层、所述隧穿氧化层及部分所述衬底。本申请提供的PIP电容结构及其制作方法、半导体器件能够提高PIP电容结构的耐击穿能力及使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
PIP电容结构及其制作方法、半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335187A
申请号 ：
CN202111667018.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
耿武千
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟霞
优先权 ：
CN202111667018.3
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L29/92 H01L21/336 H01L21/329
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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