本申请提供了一种终端结构、制作方法以及功率器件，包括：第一外延层；位于第一外延层一侧的掩埋层；贯穿掩埋层的第一掺杂区，第一掺杂区与掩埋层的掺杂类型相反；位于掩埋层背离第一外延层一侧的第二外延层，第二外延层内具有主结扩展区以及场限环；位于第二外延层背离所述掩埋层一侧的氧化层；其中，第二外延层和第一外延层均与掩埋层的掺杂类型相反；在第一方向上，场限环位于主结扩展区与第一掺杂区之间，第一方向垂直于第一外延层指向第二外延层的方向。本发明技术方案提供的终端结构、制作方法以及功率器件，提高了终端结构的耐压能力，进一步提高功率器件的可靠性和稳定性。