用于宽禁带功率器件的结终端结构

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明公开了用于高电压半导体功率器件的多种结终端结构(10)。该结构(10)特别旨在提供高击穿电压，同时用最少数量的处理步骤构造。RIE蚀刻和/或使用精细地形成图案的网格的注入及退火处理的组合为最大击穿电压提供了理想的放射状梯度。该结构(10)提供了对区域内电导率和电荷密度的控制。这些结构(10)可以有利地应用于所有高电压半导体器件结构(10)，但尤其对宽禁带器件有益，因为其具有很高的击穿电场和耗尽层宽度的按比例的尺寸。

基本信息

专利标题：

用于宽禁带功率器件的结终端结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101405871A

申请号：

CN200580039919.0

公开（公告）日：

2009-04-08

申请日：

2005-11-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

巴特·范·杰格布里克

申请人：

美高森美公司

申请人地址：

美国俄勒冈州

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司

代理人：

颜涛

优先权：

CN200580039919.0

主分类号：

H01L29/93

IPC分类号：

H01L29/93