具有能量禁带的超表面光学器件及光学设备
授权
摘要
本公开提供一种超表面光学器件及光学设备。超表面光学器件包括：衬底；以及位于衬底上的纳米结构层，纳米结构层包括多个光子晶体单元，每个光子晶体单元包括在衬底上排列的多个纳米结构单元，多个纳米结构单元被排列使得在该光子晶体单元的平行于衬底的横截面中形成能量禁带，能量禁带环绕横截面的中心区域。
基本信息
专利标题 ：
具有能量禁带的超表面光学器件及光学设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220205197.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
CN216622743U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
孙磊邱兵
申请人 ：
天津山河光电科技有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区天津经济技术开发区滨海-中关村科技园华塘睿城一区3号楼二层B区015号
代理机构 ：
北京市汉坤律师事务所
代理人 ：
魏小薇
优先权 ：
CN202220205197.2
主分类号 ：
G02B1/00
IPC分类号 ：
G02B1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B1/00
按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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