具有可调谐能量带隙的半导体器件
专利权的终止
摘要
本发明涉及能量带隙可以可逆地改变的半导体器件。本发明的思想是提供一种器件,其基于与在适当寻址时呈现出可逆体积变化的材料机械接触的半导电材料(306),所述体积可逆变化的材料例如为相变材料(307)。该器件可例如用于发光器件、开关器件以及存储器。通过向相变材料施加局部体积膨胀,半导电材料可以可逆地应变。所得到的半导电材料的带隙变化可用于调谐从例如LED或激光器发射的光的颜色。在其它应用领域中,可控制半导体结的接触电阻,这一特征在存储器和开关中是非常有利的。
基本信息
专利标题 :
具有可调谐能量带隙的半导体器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101048922A
申请号 :
CN200580037053.X
公开(公告)日 :
2007-10-03
申请日 :
2005-10-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
A·R·巴尔克南德E·P·A·M·巴克斯L·F·费纳
申请人 :
皇家飞利浦电子股份有限公司
申请人地址 :
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
张雪梅
优先权 :
CN200580037053.X
主分类号 :
H01S5/06
IPC分类号 :
H01S5/06 H01L33/00
法律状态
2012-12-19 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101368717939
IPC(主分类) : H01S 5/06
专利号 : ZL200580037053X
申请日 : 20051020
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20111020
号牌文件序号 : 101368717939
IPC(主分类) : H01S 5/06
专利号 : ZL200580037053X
申请日 : 20051020
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20111020
2009-07-08 :
授权
2007-12-19 :
实质审查的生效
2007-10-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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