一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端
公开
摘要
本发明提供的一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端包括p+外延层1、基区2、N+衬底3、SiO2钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明二次刻蚀后阳极金属覆盖PN结侧面和区域2基区上表面，相比于现有技术本发明通过阳极金属覆盖负角处结表面设计方式，可以改变电场集中点处的电位，因此本发明可以降低器件的表面电场，提高器件的击穿电压和击穿效率。
基本信息
专利标题 ：
一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613862A
申请号 ：
CN202210109325.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汤晓燕周瑜袁昊宋庆文张玉明
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210109325.8
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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