一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件

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摘要

本实用新型设计了一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件，属于半导体功率器件及其制备技术领域，其技术方案为由下向上依次设置的衬底层、缓冲层以及外延层，缓冲层为第一AlN缓冲层和第二AlN缓冲层，外延层包括AlGaN应力调控层、n‑AlGaN导电缓冲层、n‑GaN薄膜层、n‑AlGaN/n‑GaN超晶格应力缓解层、InGaN/GaN多量子阱结构层、p‑AlGaN电子阻挡层、p‑GaN薄膜层以及p‑GaN重掺层，其具有电流分布均匀、发热量少、工艺简单和有源区面积大等优点，大大提高了氮化镓基功率器件的工作性能，提升了器件的使用寿命。

基本信息

专利标题：

一种碳化硅衬底氮化镓基功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921597785.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-25

授权号：

CN210516745U

授权日：

2020-05-12

发明人：

孟立智袁凤坡王静辉唐兰香白欣娇宋士增甘琨高建海

申请人：

同辉电子科技股份有限公司

申请人地址：

河北省石家庄市鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号

代理机构：

石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

张建茹

优先权：

CN201921597785.X

主分类号：

H01L33/06

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/12 H01L33/14 H01L33/32