具有MOS结构和应力件的碳化硅功率器件
授权
摘要
本申请提供了具有MOS结构的碳化硅功率器件(100)，其中由两个应力件(410、420)将应力引入沟道区(115、125)，以将存在于栅极绝缘层(131)与沟道区(115、125)之间的界面处的陷阱的能级推进导带，以便陷阱不会对器件特性产生负面影响。
基本信息
专利标题 ：
具有MOS结构和应力件的碳化硅功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113169230A
申请号 ：
CN201980082208.3
公开（公告）日 ：
2021-07-23
申请日 ：
2019-12-16
授权号 ：
CN113169230B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
M·贝利尼L·克诺尔L·克兰兹
申请人 ：
ABB电网瑞士股份公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
北京市汉坤律师事务所
代理人 ：
王其文
优先权 ：
CN201980082208.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/12
相关图片
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-11-23 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 29/78
变更事项 : 申请人
变更前 : ABB电网瑞士股份公司
变更后 : 日立能源瑞士股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 瑞士巴登
变更后 : 瑞士巴登
变更事项 : 申请人
变更前 : ABB电网瑞士股份公司
变更后 : 日立能源瑞士股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 瑞士巴登
变更后 : 瑞士巴登
2021-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20191216
申请日 : 20191216
2021-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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