易散热的碳化硅功率模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种易散热的碳化硅功率模块，涉及半导体技术领域，包括基板，功率模块的拓扑结构为半桥结构，上桥臂和下桥臂的开关位置处分别由多个碳化硅芯片并联构成，多个栅极电阻，沿第一方向分布在基板上；多个碳化硅芯片局部对称的分布在多个栅极电阻的第二方向的两侧，每个碳化硅芯片的栅极上串联有一个栅极电阻；位于多个栅极电阻同侧的多个碳化硅芯片沿第一方向错落分布在基板上。与现有技术相比，本实用新型的优点如下：错落分布的碳化硅芯片间的距离被拉开，有效降低热耦合效应，提升了整体散热能力；错落分布的碳化硅芯片可以使贴片封装工装夹具更容易制作，减小了封装难度。
基本信息
专利标题 ：
易散热的碳化硅功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122639756.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216213449U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
余辰将王民雷光寅曹巍黄利志舒军
申请人 ：
智新半导体有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉经济技术开发区沌阳大道339号
代理机构 ：
武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
韩梦晴
优先权 ：
CN202122639756.9
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/367 H01L29/16 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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