本实用新型涉及电力电子技术领域，公开了多芯片并联大功率碳化硅模块，包括基板、在基板上布局的电路铜层以及设置于电路铜层上的半导体功率电子元件；半导体功率电子元件包括上桥功率芯片组、下桥功率芯片组、电极探针及若干控制极电阻；上桥功率芯片组包括六个并联设置的半导体功率芯片，下桥功率芯片组包括六个并联设置的半导体功率芯片。上桥功率芯片组及下桥功率芯片组分别通过六个半导体功率芯片并联设置，有利于保证各并联芯片换流路径杂散电感参数分布保持一致，以实现良好的均流特性。且该布局方式减小了相邻芯片的热耦合影响，有利于提高功率半导体模块的最大输出功率，减小芯片的最大结温。