碳化硅MOSFET半桥电路及并联的电路模块和功率板

授权

摘要

本实用新型涉及一种碳化硅MOSFET半桥电路及并联的电路模块和功率板。该半桥电路包括并联的高频续流旁路电容和半桥主电路；半桥主电路采用碳化硅MOSFET器件为桥臂，省去快恢复二极管，降低了元器件、原材料和人工成本。该半桥电路模块包括n个并联的半桥电路。在半桥电路功率板中，半桥电路中所有器件的引脚穿过PCB印刷电路板上的焊盘后通过锡焊工艺实现电路上的连接，碳化硅MOSFET、阻容吸收电阻的散热面通过螺杆固定在水冷散热器的表面上，由于实现了在PCB印刷电路板上的组装、焊接工艺形式，使直流母线和输出母线均可采用汇流排与每个半桥电路进行直接连接的方式，提高了系统的可靠性。

基本信息

专利标题：

碳化硅MOSFET半桥电路及并联的电路模块和功率板

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020004256.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-01-02

授权号：

CN211089493U

授权日：

2020-07-24

发明人：

胡佳玺胡聪权

申请人：

胡佳玺;胡聪权

申请人地址：

河北省保定市阳光北大街公园时代小区6号楼二单元1501

代理机构：

北京高沃律师事务所

代理人：

杨媛媛

优先权：

CN202020004256.0

主分类号：

H02M7/5387

IPC分类号：

H02M7/5387 H05K1/18 H05K7/20