高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构
授权
摘要
本实用新型提供一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，包括：金属框架、MOS芯片、金属散热片、控制芯片、金属线、塑封料；所述金属框架设有一凹陷部；金属框架上预先制有线路，便于连接MOS芯片和控制芯片；在金属框架背面的凹陷部中倒装焊接有MOS芯片；MOS芯片与金属框架上的相应焊垫通过凸件连接；在MOS芯片的背面贴装有金属散热片；金属散热片与MOS芯片背面的漏极相连；在金属框架凹陷部所对应的正面突出部安装有控制芯片；控制芯片通过金属线与金属框架上相应焊垫连接；在金属框架正面、金属框架背面的凹陷部内、金属线外围设有塑封料；本实用新型MOS芯片大功率输出时电性能更优，散热效果更好。
基本信息
专利标题 ：
高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920834409.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-04
授权号 ：
CN209843663U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
殷炯
申请人 ：
无锡中微高科电子有限公司;中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号208信箱
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
殷红梅
优先权 ：
CN201920834409.1
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/60 H01L23/495 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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