垂直碳化硅功率MOSFET和IGBT及其制造方法
授权
摘要
公开了一种垂直碳化硅功率MOSFET，其具有作为漏极的n+型4H‑SiC衬底和外延地生长在4H‑SiC衬底上的充当漂移区的n‑型4H‑SiC外延层、以及注入漂移区中的p++型源极区、p型阱区、p型沟道区和n++型接触区、以及通过栅氧化层与源极和漂移区绝缘的金属栅极。在4H‑SiC外延层与栅氧化层之间的界面处提供垂直厚度在0.1nm至50nm范围内(示例性地在0.5nm至10nm范围内)的高迁移率层。
基本信息
专利标题 ：
垂直碳化硅功率MOSFET和IGBT及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113196499A
申请号 ：
CN201980080450.7
公开（公告）日 ：
2021-07-30
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
CN113196499B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
S·沃思A·米哈埃拉L·克诺尔
申请人 ：
ABB电网瑞士股份公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
北京市汉坤律师事务所
代理人 ：
王其文
优先权 ：
CN201980080450.7
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/78 H01L29/16 H01L29/10 H01L21/331 H01L29/165
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-11-23 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 29/739
变更事项 : 申请人
变更前 : ABB电网瑞士股份公司
变更后 : 日立能源瑞士股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 瑞士巴登
变更后 : 瑞士巴登
变更事项 : 申请人
变更前 : ABB电网瑞士股份公司
变更后 : 日立能源瑞士股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 瑞士巴登
变更后 : 瑞士巴登
2021-08-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20191022
申请日 : 20191022
2021-07-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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