碳化硅半导体装置及其制造方法
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摘要
在保护环部中，通过在n‑型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110050349A
申请号 ：
CN201780075779.5
公开（公告）日 ：
2019-07-23
申请日 ：
2017-12-12
授权号 ：
CN110050349B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
竹内有一铃木龙太永冈达司青井佐智子
申请人 ：
株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
白丽
优先权 ：
CN201780075779.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/12 H01L29/78
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法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-08-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20171212
申请日 : 20171212
2019-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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