碳化硅半导体装置
实质审查的生效
摘要
碳化硅半导体装置具有碳化硅基板，所述碳化硅基板具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面。在所述第一主面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽由贯通源区和体区而到达漂移区的侧面和与所述侧面相连的底面限定，并且在平行于所述第一主面的第一方向上延伸。所述碳化硅基板还具有：电场弛豫区，所述电场弛豫区设置在所述底面与所述第二主面之间，在所述第一方向上延伸，并且具有所述第二导电型；和连接区，所述连接区将接触区与所述电场弛豫区电连接，并且具有所述第二导电型，在从垂直于所述第一主面的方向俯视时，所述栅极沟槽和所述电场弛豫区位于在所述第一方向上延伸的假想直线上，并且所述连接区在所述假想直线上与所述电场弛豫区接触。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503283A
申请号 ：
CN202080070654.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
斋藤雄增田健良
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府大阪市
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨海荣
优先权 ：
CN202080070654.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/16 H01L29/423
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201120
申请日 : 20201120
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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