碳化硅半导体装置以及电力变换装置
实质审查的生效
摘要
本发明的目的在于：在碳化硅半导体装置中，通过缓和在回流动作时施加到终端阱区域的电压，抑制双极性通电。SiC‑MOSFET101在漂移层(20)的表层具备都为第2导电类型的、多个第1阱区域(30)、第2阱区域(31)、第3阱区域(32)。第3阱区域(32)设置于第2阱区域(31)的与第1阱区域(30)相反的一侧。包括第1阱区域(30)的组件单元内置单极性型二极管。SiC‑MOSFET101具备与单极性型二极管和欧姆电极(70)连接、不与第2阱区域(31)以及第3阱区域(32)欧姆连接的源极电极(80)。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅半导体装置以及电力变换装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342089A
申请号 ：
CN201980099839.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2019-09-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永久雄一日野史郎贞松康史川原洸太朗八田英之友久伸吾
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李今子
优先权 ：
CN201980099839.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/12
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20190906
申请日 : 20190906
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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