碳化硅半导体装置以及电力变换装置

授权

摘要

在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，有时形成于末端部的第2阱区域进行双极型通电而末端部的耐压下降。在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，在形成于末端部的栅极焊盘的下部的第2阱区域上设置与第2阱区域进行肖特基连接等非欧姆连接的源极电极。第2阱区域不与源极电极进行欧姆连接，从而抑制末端部的耐压下降。

基本信息

专利标题：

碳化硅半导体装置以及电力变换装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110352497A

申请号：

CN201880010571.X

公开（公告）日：

2019-10-18

申请日：

2018-02-22

授权号：

CN110352497B

授权日：

2022-05-13

发明人：

八田英之日野史郎贞松康史永久雄一

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

肖靖

优先权：

CN201880010571.X

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/8234 H01L27/06 H01L29/12 H01L29/872

法律状态

2022-05-13 ：

授权

2019-11-12 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20180222

2019-10-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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