半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置
实质审查的生效
摘要
提供能够小型化的半导体装置及半导体装置的制造方法。具有在上表面搭载半导体元件(1a、1b)的芯片焊盘(3a、3b)的内部引线(3e)具有台阶形状，在俯视观察时，内部引线(3e)的一部分的面从封装树脂(5)露出。与内部引线(3e)相连而连结的外部引线(3f)以向芯片焊盘(3a)的上表面的方向延伸的方式，在封装树脂(5)的侧面具有第1弯曲部(3g)，由此能够得到小型化的半导体装置。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284226A
申请号 ：
CN202111129062.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
市川庆太郎
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111129062.9
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L25/18 H01L21/60 H02M1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/49
申请日 : 20210926
申请日 : 20210926
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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