半导体装置和制造半导体装置的方法
公开
摘要
一种半导体装置及一种制造半导体装置的方法。在一个实例中，电子装置包括：第一衬底，所述第一衬底包括基底；电子组件，所述电子组件在所述第一衬底上方并且包括顶侧和底侧、在所述顶侧上的第一端子和第二端子，以及在所述底侧上的第三端子，其中所述第三端子与所述第一衬底耦合。所述电子装置进一步包括：第二衬底，所述第二衬底在所述电子组件上方；以及包封物，所述包封物在所述第一衬底上方，接触所述电子组件的侧边并且接触所述第二衬底。第一引线与所述第一衬底的所述基底耦合并且在所述第一衬底的所述基底上方延伸，所述第二衬底的第二引线耦合到所述电子组件的所述第一端子，并且所述第一引线和所述第二引线从所述包封物的顶侧暴露。本文中还公开其它实例和相关方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361125A
申请号 ：
CN202111184693.0
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
舒恩·布尔松田吉雄江详烨金炳辰金吉江贝俊明李胜吴宋洋合中岛美希长泽和昌中村慎吾苏菲·奥尔森金进勇
申请人 ：
安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡市
代理机构 ：
北京寰华知识产权代理有限公司
代理人 ：
何尤玉
优先权 ：
CN202111184693.0
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L23/31 H01L21/48 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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