半导体装置和半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括第一绝缘层、在第一绝缘层中的第一结合焊盘、与第一绝缘层接触的第二绝缘层以及在第二绝缘层中的第二结合焊盘。第一结合焊盘包括第一导电层和围绕第一导电层的第一屏障层，并且第二结合焊盘包括第二导电层和围绕第二导电层的第二屏障层。第二屏障层与第一导电层接触。第二导电层与第一导电层间隔开。第一导电层包括与第二导电层中包括的金属材料不同的金属材料。第一屏障层和第二屏障层各自包括钛和钽中的至少一种。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496974A
申请号 ：
CN202110589382.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-05-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李南宰
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110589382.6
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L27/11568 H01L27/11578 H01L21/48 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20210528
申请日 : 20210528
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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